Ученые МФТИ разработали методику для создания "флэшек будущего"
Москва. 28 ноября. ИНТЕРФАКС – Специалисты МФТИ и их коллеги, работающие в США и Германии, совершили прорыв на пути к созданию новых типов энергонезависимых ячеек памяти, сообщает пресс-служба вуза.
"Ученым удалось создать уникальную методику измерения распределения электрического потенциала внутри так называемого сегнетоэлектрического конденсатора — основы элементов памяти будущего, которые будут работать на порядок быстрее сегодняшних флешек или твердотельных дисков и выдерживать в миллион раз больше циклов перезаписи. Работа опубликована в Nanoscale", - говорится в сообщении.
Отмечается, что сейчас во всем мире работают над созданием "новой флэшки", которая будет работать в разы быстрее и дольше. Наиболее перспективной основой для нее считается оксид гафния (HfO2), который при определенных условиях (легировании, температурной обработке и др.) может образовывать стабильные кристаллы, обладающие способностью "помнить" о приложенном электрическом поле.
Однако ученым до сих пор не удавалось изучить физические процессы в новой тончайшей – менее 10 нанометров – ячейке памяти. Одна из важнейших частей этого знания — представление о том, как распределяется электрический потенциал внутри слоя при подаче напряжения на электроды. За 10 лет, прошедших с момента открытия сегнетоэлектрической фазы HfO2, никому из исследователей не удавалось изучить это распределение потенциала непосредственно, а авторам этого исследования удалось.
Для этого они применили метод так называемой высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Специальная методика, разработанная сотрудниками МФТИ, требовала применения рентгеновского излучения, которое можно получить только на специальных ускорителях-синхротронах. Такой находится в Гамбурге (ФРГ). Там и были проведены измерения на прототипах будущих ячеек "новой памяти" — сегнетоэлектрических конденсаторах на основе оксида гафния, изготовленных в МФТИ.
"Созданные в нашей лаборатории сегнетоэлектрические конденсаторы, если их применить для промышленного изготовления ячеек энергонезависимой памяти, способны обеспечить 1010 циклов перезаписи - в сто тысяч раз больше, чем допускают современные компьютерные флешки", - приводятся в сообщении слова одного из авторов работы, заведующего лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрея Зенкевича.
Уточняется, что "новая флэшка" сможет работать даже в космосе, поскольку используемый материал не чувствителен к радиационному воздействию.
Читайте "Интерфакс-Образование" в "Facebook", "ВКонтакте", "Яндекс.Дзен" и "Twitter"