Ученые в Сибири разработали новый метод диагностики дефектов микроэлектроники
Новосибирск. 29 мая. ИНТЕРФАКС - Специалисты Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН, Новосибирск) разработали новый оптический метод диагностики элементной базы микроэлектроники, сообщает пресс-служба института.
"Предложенный подход позволяет очень точно измерять (на уровне нескольких нанометров) механические деформации и дефекты в полупроводниковых структурах", - говорится в сообщении.
Ученые нашли способ сделать очень слабые световые сигналы намного ярче с помощью специальных "нанощелей" между металлами в полупроводнике, что позволяет увидеть изменения в структуре и дефекты даже в материалах, толщина которых составляет единицы атомов.
Чтобы применять метод, требуется атомно-силовой микроскоп, совмещенный со спектрометром комбинационного рассеяния света, а также подготовленные подложки.
Первые результаты, полученные с помощью нового подхода, связаны с исследованием графена: ученым удалось "увидеть" локальные деформированные области - складки, образующиеся при распределении одноатомного слоя графена поверх золотых нанодисков.
"В отличие от некоторых других диагностических методов, новый подход не повреждает образец, что особенно важно для деликатных наноматериалов. С другой стороны, метод подразумевает использование иглы атомно-силового микроскопа, которой можно контролируемо наноструктурировать материал - "вырезать" объекты нужной формы, или формировать рисунок на поверхности образца", - отмечает замдиректора ИФП СО РАН Александр Милехин.
По его словам, метод может использоваться при