Физики в Новосибирске создали прототип ионного источника для микроэлектроники

"Две машины (установки - ИФ) сейчас мы делаем, одна из них более сильноточная, другая - более высоковольтная. Предполагается, что эти имплантеры позволят нам стать существенно более независимыми, и даже перегнать, поскольку туда закладываются параметры выше тех, которые производятся в мире. Наша страна может выйти вперед по части изготовления микросхем", - сказал он.

Также в ИЯФ сделан источник ионов для имплантера, отметил Левичев.

Достижение технологического суверенитета зависит от того, насколько успешно разработки будут масштабированы в промышленности, добавил он.

Источник ионов имеет магнитное поле остроконечной формы и, как показали эксперименты, обеспечивает качественное нанесение примесей, поэтому подходит для создания сильноточных имплантеров, необходимых в микроэлектронике.

Пресс-служба ИЯФ СО РАН сообщает, что в 2024 году в институте была создана молодежная лаборатория имплантерных ионных источников, чтобы объединить специалистов, работающих в области физики плазмы, ускорительной физики, а также силовой электроники.

Имплантеры создаются в коллаборации с предприятиями Зеленограда (АО "НИИТМ" и АО "НИИМЭ").

Метод ионной имплантации основан на внедрении в твердое тело, например, в пластину полупроводника, ионизированных атомов и молекул с заранее заданной энергией.

Отмечается, что последние 30 лет микроэлектронная промышленность всего мира развивается именно благодаря имплантерным технологиям, установки для реализации подобной технологии называются "ионные имплантеры", важным элементом которых являются ионные источники.

ИЯФ СО РАН имеет большой опыт в создании различных ионных источников, которые в свое время разрабатывались и создавались в институте как для полупроводниковой промышленности, так и для экспериментов в области физики плазмы, и для развития методов ускорительной масс-спектрометрии.