Новый полупроводник для оптоэлектроники получен в НИЯУ МИФИ
Москва. 3 сентября. ИНТЕРФАКС – Исследователи НИЯУ МИФИ в составе международного научного коллектива получили новый полупроводник, который может найти применение в оптоэлектронике, в устройствах памяти и спинтронике, сообщает вуз.
"Впервые синтезирован станнат стронция, легированный атомами лантана, рутения и индия. Определены его электронные, магнитные и оптические характеристики", - говорится в сообщении.
Уточняется, что новый наноразмерный полупроводниковый перовскит был получен в виде порошка с использованием экологически чистого механохимического синтеза, известного своей простотой и экономической эффективностью. Контроль получившегося материала с помощью рентгеноструктурного анализа и инфракрасной спектроскопии подтвердил, что образец кристаллизовался в структуру типа перовскита GdFeO3.
Ученые определили электронные, магнитные и оптические характеристики нового материала. Например, данные проведенных экспериментов и теоретического анализа указывают на достаточно узкую полупроводниковую щель ~1.5 эВ по сравнению с нелигированным станнатом стронция.
"Мы установили, что ширина запрещенной зоны может изменяться в зависимости от соотношения атомов олова и рутения в образце. Таким образом, можно сделать вывод, что дополнительное легирование атомами рутения стимулирует переход из диэлектрического состояния в полупроводниковое, а затем и в полуметаллическое/металлическое", – прокомментировал автор работы профессор Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ Михаил Маслов.
По его словам, этот эффект позволяет настраивать электронные характеристики материала, регулируя число атомов модифицирующих добавок.
Таким образом, небольшая ширина полупроводниковой щели в сочетании с уникальными электрическими и магнитными характеристиками, по мнению ученых, делает новый материал перспективным кандидатом для применения в оптоэлектронике, а также в устройствах памяти и спинтроники.