Ученые РФ и КНР разработали новый метод создания ультратонких пленок

Отмечается, что сегнетоэлектрические материалы применяются в транзисторах, устройствах памяти и датчиках.

Ученые поясняют, что одной из главных проблем использования сегнетоэлектриков является потеря их свойств при миниатюризации. По мере того как эти материалы становятся тоньше, их спонтанная поляризация ослабевает и исчезает, что ограничивает возможность их применения.

Команда под руководством директора Центра перспективных методов мезофизики и нанотехнологий МФТИ Василия Столярова изучила ультратонкие пленки CuCrSe2. Для создания пленок использовали метод химического осаждения из газовой фазы, позволяющий точно контролировать состав, структуру и толщину материала. Для этого была разработана специальная вакуумная камера.

"Наш подход позволил создать пленки CuCrSe2 толщиной всего 5,2 нанометра, при этом они продолжали демонстрировать свои сегнетоэлектрические свойства. Примечательно, что эти пленки сохраняют свою спонтанную поляризацию даже при температурах до 800 кельвинов, что значительно выше, чем наблюдалось в других аналогичных структурах", - отметил Столяров.

Ученые называют прорывом итоги исследования.

"Метод сулит большие перспективы для разработки миниатюрных электронных устройств с улучшенными характеристиками и функциональными преимуществами. Возможность создавать высокотемпературные сегнетоэлектрические пленки открывает двери для применения в различных областях, например в чипах памяти высокой плотности, сверхчувствительных датчиках и транзисторах следующего поколения", - говорится в сообщении.

Столяров добавил, то результаты не только представляют новый класс высокоэффективных сегнетоэлектрических материалов, но и дают ценные сведения об основных механизмах, управляющих сегнетоэлектричеством на атомном уровне. Эти знания, по его словам, могут проложить путь к проектированию и разработке еще более совершенных сегнетоэлектрических материалов в будущем.