Ученые ДВФУ усилили магнитные свойства ультратонких пленок для производства спин-орбитронной электроники
Москва. 18 июля. ИНТЕРФАКС – Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) смогли точно настраивать магнитные свойства ультратонких пленок с толщиной слоя в 1 атом, что в перспективе может быть использовано для проектирования и изготовления спин-орбитронных устройств, сообщает вуз.
Ученые ДВФУ синтезировали ультратонкие пленки из рутения, кобальта и вольфрама (Ru/Co/W/Ru) с толщиной слоя в 1 атом. В таких тонкопленочных магнитных материалах зарождаются скирмионы – мельчайшие магнитные вихревые структуры, которые могут выступать единицей для записи данных (1 скирмион = 1 бит).
"Скирмионы, которые можно условно описать как магнитные "пузырьки" – достаточно устойчивые и долгоживущие квазичастицы. Мы можем ими управлять при помощи электрических и магнитных полей: двигать определенным образом в тонкой магнитной пленке, изменять направление намагниченности (поляризацию), то есть быстро перезаписывать и надежно сохранять информацию на магнитном носителе", – рассказал, кандидат физико-математических наук, старший преподаватель Департамента общей и экспериментальной физики и научный сотрудник лаборатории спин-орбитроники Института наукоемких технологий и передовых материалов ДВФУ Алексей Самардак.
По его словам, такая память является энергонезависимой, не содержит движущихся частей, а, значит, является более устойчивой и надежной. А малые размеры "магнитных пузырьков" позволяют добиваться очень высокой плотности записи информации и высоких скоростей считывания и записи информации.
Как отмечают ученые ДВФУ, скирмионы могут лечь в основу спин-орбитронной электроники, а также стать ключом к нейроморфным вычислениям – более эффективным алгоритмам, которые могут применяться в машинном обучении и глубоком обучении нейросетей, где необходимо быстро анализировать большие объемы данных.
Читайте "Интерфакс-Образование" в "ВКонтакте"